型号:NVMD3P03R2G | 类别:FET - 阵列 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET P CH 30V 2.34A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET P CH 30V 2.34A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
FET型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.34A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 85 毫欧 @ 3.05A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 25nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 750pF @ 24V |
功率_最大 | 730mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
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