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电子元器件详细资料 » IC[26081] » NVMD3P03R2G
型号:NVMD3P03R2G类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P CH 30V 2.34A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P CH 30V 2.34A 8-SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.34A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C85 毫欧 @ 3.05A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds750pF @ 24V
功率_最大730mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC
包装带卷 (TR)

供应商

深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
北京首天伟业科技有限公司刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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